LU CFI zinātnieku raksts augstas raudzes žurnālā Applied Surface Science

Mūsu Institūta zinātnieki Edgars Butanovs, Kevon Kadiwala, Aleksejs Gopejenko, Dmitrijs Bočarovs, Sergeis Piskunovs un Boriss Poļakovs no Plāno kārtiņu un Cietvielu elektronisko struktūru datormodelēšanas laboratorijām ir publicējuši rakstu “Different strategies for GaN-MoS2 and GaN-WS2 core–shell nanowire growth” (DOI:10.1016/j.apsusc.2022.153106) žurnālā Applied Surface Science, kura ietekmes faktors ir 6,707.

Raksts ir par divu metožu izstrādi augstas kristāliskās kvalitātes
GaN-MoS₂ un GaN-WS₂ kodola-apvalka heterostruktūru nanovadu sintēzei:

1. divpakāpju procesu, kurā tiek sulfurēts ar magnetrono izputināšanu uzklāts pārejas metālu oksīdu pārklājums uz GaN nanovadiem;
2. dažu slāņu MoS₂ un WS₂ uzklāšana uz GaN nanovadiem ar impulsu lāzera izputināšanu no attiecīgo pārejas halkogenīdu mērķiem.

Izgatavotās nanostruktūras tika raksturotas ar SEM, TEM, XRD, XPS un mikro-Ramana spektroskopiju. Tika veikti teorētiski elektroniskās struktūras aprēķini, kuri parāda šādu kodola-apvalka nanovadu potenciālu fotokatalīzē efektīvai ūdeņraža iegūšanai no ūdens.

Šis raksts tapis Latvijas Zinātnes Padomes (LZP) projekta Nr.
lzp-2020/1-0261 "Kodola-apvalka nanovadu heterostruktūras no lādiņa blīvuma viļņu materiāliem optoelektronikas pielietojumiem" ietvaros, kā arī ar Eiropas Savienības pamatprogrammas "Apvārsnis 2020" projektu ERA Chair “MATTER” (Nr.856705) un CAMART²
WIDESPREAD-01-2016-2017-TeamingPhase2 (Nr.739508) atbalstu.