Šajā disertācijā tiek aprakstīti strukturālās un fotofizikālās MOCVD izaudzēto GaN nanovadu (NV) un InGaN kvantu punktu (KP) īpašības. Abos gadījumos ir parādīts, ka ex-situ RHEED mērījumi ir iespējami un sniedz kvalitatīvu informāciju par struktūru. Kombinācijā ar citām metodēm, pirmkārt, ir parādīts, ka nemetāliskā katalizatora veicinātā GaN NV īpašības, kad sintezēts uz GaN (0001) virsmas, atšķiras no tradicionāli iegūtajiem. Šinī gadījumā katalizators lokalizējas pie nanovadu pamatnes nevis tā galā un augšanas virziens ir atšķirīgs no kristalogrāfiskās c-ass, rezultātā iegūstot semipolārās NV struktūras. Otrkārt, InGaN kvantu punktos ir konstatēt saspiesta kristāliskā režģa struktūra augstas indija koncentrācijas gadījumos.
Atslēgas vārdi: nemetālisks katalizators, GaN nanovadi, InGaN kvantu punkti, ex-situ RHEED, nano-SIMS
