Trešdien, 2. oktobrī plkst. 13:00, Ķengaraga ielā 8, 2.stāva zālē "Kompleksu materiālu virsmu un defektu aprēķini no pirmajiem principiem" Dr. Roberts Eglītis (LU CFI)

ABO3 perovskītu, piemēram, SrTiO3, BaTiO3, PbTiO3, CaTiO3, SrZrO3, PbZrO3 un BaZrO3 (001) virsmas ir plaši pētītas [1-5], bet patreiz daudz mazāk ir zināms par to polārām (011) virsmām. Es analizēju abus (001) virsmu šķēlumus AO (A=Sr, Ba, Pb vai Ca) un BO2 (B=Ti vai Zr). Tika aprēķināts, ka augšējais AO slānis relaksē uz kristāla iekšu visiem 7 materiāliem, izņemot SrO-šķeltas SrTiO3 (001) virsmas augšējā slāņa O atomu. Manis aprēķinātie virsmas burzījumi 6.77% SrO-sķeltai SrZrO3 (001) virsmai un 3.32% priekš PbO-šķeltas PbZrO3 (001) virsmas ir gandrīz 10 reizes lielāki, nekā atbilstošie virsmas burzījumi priekš ZrO2-šķeltām SrZrO3 un PbZrO3 (001) virsmām [5]. Runājot par (011) virsmām, es aplūkoju trīs virsmu tipus, kuras ir šķeltas ar BO slāni, A slāni un O slāni. Attiecībā uz virsmu enerģijām, aprēķini parādīja, ka abas AO un BO2-šķeltās virsmas ir enerģētiski ļoti tuvas un var eksistēt dabā ar gandrīz vienādu varbūtību. Gluži pretēji, tika novērotas lielas atšķirības ABO3 perovskītu dažādu sķēlumu (011) virsmu enerģijās. Visu (001) virsmu enerģijas ir mazākas par (011) virsmu enerģijām, bet (111) virsmu energijas [6] ir vislielākās starp visām virsmu enerģijām. Ir aprēķināts Nb piemaisījums SrTiO3 kristālā un analizēta tā atomārā un elektroniskā struktūra [7]. OH- piemaisījumi CaF2 kristālā un uz tā (111) virsmas tika pētīti izmantojot DFT-B3PW metodi. Tika aprēķinātas 3 tilpuma un 20 virsmas OH- konfigurācijas, un mēs atradām, ka konfigurācija OH(111) priekš tilpuma un HO11(\) un Hfull(\) priekš virsmas ir enerģētiski visizdevīgākās konfigurācijas [8]. References: 1. R. I. Eglitis, J. Phys.: Condens. Matter 19, 356004 (2007). 2. R. I. Eglitis and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 76, 155439 (2007). 3. R. I. Eglitis and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 77, 195408 (2008). 4. R. I. Eglitis and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 78, 155420 (2008). 5. R. I. Eglitis and M. Rohlfing, J. Phys.: Condens. Matter 22, 415901 (2010). 6. R. I. Eglitis, Ferroelectrics 424, 1 (2011). 7. R. I. Eglitis and E. A. Kotomin, Physica B 405, 3164 (2010). 8. H. Shi, L. Chang, R. Jia and R.I. Eglitis, J. Phys. Chem. C 116, 6392 (2012)

Dalīties