LU CFI zinātniskais seminārs (26.03.2014)

Pretestības atmiņas (ReRAM) darbība ir balstīta uz metāla-izolatora-metāla (MIM) struktūras pretestības izmaiņām, kuras vada jonu migrācija kopā ar oksidēšanās-reducēšanās procesiem, kas saistīti ar elektrodu materiālu vai izolatora materiālu, vai arī abiem [1]. ReRAM var tikt realizēta, izmantojot elektroķīmiskās, termoķīmiskās un valences izmaiņu parādības [1]. Piemēram, var tikt realizēta elektroķīmiskās metalizācijas šūnas ierīce (ECM - electrochemical metallization cell), kura izmanto WO3 plāno kārtiņu, kas atrodas starp vara anoda un inertā katoda slāņiem [2]. Šajā seminārā es iepazīstināšu ar sinhrotrona starojuma rentgena absorbcijas spektroskopijas un Ramana spektroskopijas pētījumu rezultātiem [3], kuri sniedz ieskatu par lokālo atomāro un elektronisko struktūru Cu un W atomu apkārtnē ECM ierīcēs. [1] R. Waser, et al., Adv. Mater. 21 (2009) 2632-2663. [2] M.N. Kozicki, et al., Proc. IEEE Non-Volatile Memory Tech. Symp. (2004) 10-17. [3] A. Kuzmin, et al., J. Non-Cryst. Solids (2014), doi:10.1016/j.jnoncrysol.2014.01.022.