Pētījumi ir veltīti jaunu konusveida nanostruktūru veidošanas tehnoloģijas izstrādei uz pusvadītāju Ge, Si, SiGe/Si and CdZnTe virsmas ar jaudīga lāzera starojuma palīdzību un šo nanostruktūru optisko īpašību pētīšanai. Izpētot apstaroto pusvadītāju konusveida nanostruktūru fotoluminiscences spektrus, tika konstatēta būtiska kvantu izejas palielināšanās ar spektra maksimuma nobīdi uz īso viļņu apgabalu. Šī ir viena no kvantu ierobežojuma efekta izpausmēm nanostruktūrās. Pēc Ramana izkliedes spektru izpētes tika konstatēts fononu kvantu ierobežojuma efekts konusveida nanostruktūrās, kurš izpaužas kā LO fononu joslas nobīde uz zemākas frekvences spektra apgabalu. Tika piedāvāts nanokonusu veidošanas modelis uz SiGe cietā šķīduma virsmas. Parādīta iespēja veidot varizonas struktūras elementāros pusvadītājos, izmantojot lāzera starojumu un pateicoties kvantu ierobežojuma efektam konusveida nanostruktūrās. Paradīta iespēja konstruēt saules