Gaismas diožu (LED) efektivitāte ir jāpalielina pirms tās spēs aizstāt esošas apgaismes sistēmas. Veidojot LED struktūras nanometru skalā, ir iespējams izvairīties vai pilnībā likvidēt strukturālo defektu koncentrāciju un mehāniskos spraigumus, kas izraisa elektronu izkliedi diodes iekšienē, samazinot tās efektivitāti. Kā rezultātā darba mērķis izstrādāt metodiku InGaN bāzētu heterostrukturētu iegūšanai, kas ietver kvantu akas vai kvantu punktus un izpētīt to strukturālās un fotofizikālās īpašības, kā arī izpētīt ar nemetālisku katalizatoru audzētu GaN nanovadu īpašības.
Darba ietvaros ir veikta MOCVD audzētu GaN nanovadu un InGaN kvantu punktu fotofizikālo procesu pētījums izmantojot tādas metodes kā laikā izšķirta ftoluminiscence (PL) un katodluminiscence (CL). Struktūranalīzes pētījumos tika izmantojot augstas enerģijas elektronu reflekcijas difrakcijas (RHEED) analīze. Lai ari metode ir plaši pielietota plāno kārtiņu un struktūru pētīšanai MBE sintēzes procesā, ir parādīts, ka vienlīdz labi to var pielietot arī ārpus kameras iegūto GaN nanovadu un vēlāk – InGaN kvantu punktu analīzē.
Ir parādīts, ka nemetāliska katalizatora GaN nanovadu augšana notiek (1-1 0) virzienā veidojot trīsstūrveida prizmas formu, orientējas epitaksiāli ar virsmu un ir noliekušies slīpi veidojot 60° lielu leņķi. Ir izpētītas MOCVD sintēzes parametru ietekme uz InxGa1-xN stehiometriju, kur novērota spēcīga kvantu punktu struktūras atkarība no reaktora temperatūras augšanas procesā un indija koncentrācijas palielināšanās ar nanodaļiņu izmēru samazināšanos.
 "Struktūra un fotofizikālie procesi 0D un 1D InGaN kompozītu materiālos" Promocijas darba priekšaizstāvēšana
){kind=link}